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AQSIQ延期服务

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AQSIQ证书延期

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英国公司注册

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海外商标

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商检3C认证

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2N7002LT1G

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管） 类别：FET，MOSFET 单 FET 类型：N 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：115mA（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V 功率耗散（最大值）：225mW（Ta） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AO3400A

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管） 类别：FET，MOSFET 单 FET 类型：N 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V Vgs（最大值）：±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：630pF @ 15V 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：SOT-23-3L 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AO3401A

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管） 类别：FET，MOSFET 单 FET 类型：P 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：12.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）：±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1200pF @ 15V 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：SOT-23-3L 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AO3401A

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管） 类别：FET，MOSFET 单 FET 类型：P 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：12.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）：±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1200pF @ 15V 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：SOT-23-3L 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AO3414

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管） 类别：FET，MOSFET 单 FET 类型：N 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：6.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）：±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：436pF @ 10V 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：SOT-23-3L 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AO4805

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管） 类别：FET，MOSFET 阵列 FET 类型：2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门 漏源电压（Vdss）：30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2600pF @ 15V 功率 - 最大值：2W 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装：8-SOIC
AOD4185

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管） 类别：FET，MOSFET 单 FET 类型：P 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：55nC @ 10V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2550pF @ 20V 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），62.5W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：TO-252，（D-Pak） 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
APM3382KC-TRG

MOS（场效应管）

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APM4953KC-TRG

MOS（场效应管）

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APM9435KC-TRG

MOS（场效应管）

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BM2302

MOS（场效应管）

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BM28N10

MOS（场效应管）

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BS170FTA

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管） 类别：FET，MOSFET 单 FET 类型：N 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：150μA (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：60pF @ 10V 功率耗散（最大值）：330mW（Ta） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：SOT-23-3 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSP170PL6327HTSA1

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管） 类别：FET，MOSFET 单 FET 类型：P 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 1.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：14nC @ 10V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：410pF @ 25V 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：PG-SOT223-4 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
BSP296

MOS（场效应管）

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BSS123

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管） 类别：FET，MOSFET 单 FET 类型：N 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：170mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：2.5nC @ 10V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：73pF @ 25V 功率耗散（最大值）：360mW（Ta） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：SOT-23-3 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS138P,215

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管） 类别：FET，MOSFET 单 FET 类型：N 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：360mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：1.6 欧姆 @ 300mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 10V 功率耗散（最大值）：350mW（Ta），1.14W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型：表面贴装 供应商器件封装：TO-236AB（SOT23） 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CEM4953

MOS（场效应管）

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CEM4953A

MOS（场效应管）

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类别 :三极管（双极性晶体管）
CEM9435A

MOS（场效应管）

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