类别 :三极管（双极性晶体管）
类别：FET，MOSFET 阵列
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.1A，6A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 6.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：12.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：631pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP