FDC6420C

FDC6420C

类别 :三极管(双极性晶体管)
类别:FET,MOSFET 阵列
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A,2.2A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值):70 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值):4.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):324pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装:SuperSOT-6

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类别 :三极管(双极性晶体管)
类别:FET,MOSFET 阵列
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A,2.2A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值):70 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值):4.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):324pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装:SuperSOT-6