类别 :三极管（双极性晶体管）
类别：FET，MOSFET 单
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 4.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：27nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：510pF @ 25V
FET 功能：肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-SO
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）