SI1900DL-T1-E3

SI1900DL-T1-E3

类别 :三极管(双极性晶体管)
类别:FET,MOSFET 阵列
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):590mA
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值):1.4nC @ 10V
功率 - 最大值:270mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳;6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-70-6(SOT-363)

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类别 :三极管(双极性晶体管)
类别:FET,MOSFET 阵列
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):590mA
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值):1.4nC @ 10V
功率 - 最大值:270mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳;6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-70-6(SOT-363)