类别 :三极管（双极性晶体管）
类别：FET，MOSFET 单
FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：270 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：17nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：500pF @ 40V
功率耗散（最大值）：760mW（Ta），2.5W（Tc）
工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3