类别 :三极管（双极性晶体管）
类别：FET，MOSFET 单
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：15.7nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：206pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.9W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：SOT-223
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA