MC1413BDR2G

MC1413BDR2G

类别 :三极管(双极性晶体管)
类型:双极 阵列 
晶体管类型:7 NPN 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC

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类别 :三极管(双极性晶体管)
类型:双极 阵列 
晶体管类型:7 NPN 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC